在处理器中，无论是CPU还是GPU，晶体管工艺都很大程度的决定了处理器的性能，我们通常听到的32nm，22nm，14nm就是以晶体管大小来命名的，22nm是一个什么概念呢？22nm相当于头发直径的二千三百分之一。IBM英特尔AMD等欧美芯片界的巨头们保持着当今世界最先进晶体管工艺，22nm晶体管已经推出，14nm也近在咫尺，不过最近有消息称，中国已经自主研制了22nm晶体管，保持对晶体管工艺最高水平的追赶。
中科院微电子研究所官方报道
　　根据中科院微电子研究所透露的消息，中科院微电子研究所在22纳米 CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能良好，达到国内领先、世界一流水平。
MOSFET
　　MOSFET，全称为Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物-半导体层场效应晶体管。中科院表示，22 纳米 CMOS技术是全球正在研究开发的最新一代集成电路制造工艺，各国都投入了巨大资金，力争抢占技术制高点。
中科院22nm MOSFET
　　中科院是在09年开始22纳米关键技术的先导研发，经过三年的努力，在2012年年底取得突破性进展。>>
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　　目前，晶体管工艺水平逐步进入22nm制程工艺，Intel开发的基于三栅器件结构的处理器已于近期实现量产；IBM联盟也于近期发布了采用22纳米工艺生产的SRAM芯片；GlobalFoundries，日韩的Toshiba、三星和我国台湾的台积电也发布了各自的22纳米制程技术。
22nm三栅极晶体管
　　不过相比IBM英特尔来说，目前我国自主晶体管的研制还有一定差距，目前IBM英特尔都在致力于3D晶体管FinFET的开发。而像三星以及GlobalFoundries，以及台积电也有FinFET的研究。
FinFET晶体管研究(点击放大)
　　台积电表示，20nm以及16nm制程的FinFET工艺，给晶片设计人员带来了极大挑战，尤其是双重图形技术。台积电的发展蓝图大致与竞争对手GlobalFoundries类似，都希望能在明年启动20nm制程，2014开始14nmFinFET制程。
台积电产品工艺路线图
　　从上面的台积电技术路线图可以看到，目前台积电主要的产品还是在28nm制程工艺上，计划在2013年普及20nm制程工艺，而在2013年11月份有望推出16nm制程工艺的 FinFET晶体管。
　　晶体管作为芯片中最为重要的部分，22nm晶体管的重大突破也意味着进入22纳米技术代时，中国开始拥有自己的话语权。